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聚焦離子束技術(shù)（FIB）

聚焦離子束技術(shù)（Focused Ion beam，FIB）是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的離子束轟擊材料表面，實(shí)現材料的剝離、沉積、注入、切割和改性。隨著(zhù)納米科技的發(fā)展，納米尺度制造業(yè)發(fā)展迅速，而納米加工就是納米制造業(yè)的核心部分，納米加工的代表性方法就是聚焦離子束。近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的聚焦離子束技術(shù)（FIB）利用高強度聚焦離子束對材料進(jìn)行納米加工，配合掃描電鏡（SEM）等高倍數電子顯微鏡實(shí)時(shí)觀(guān)察，成為了納米級分析、制造的主要方法。目前已廣泛應用于半導體集成電路修改、離子注入、切割和故障分析等。

聚焦離子束技術(shù)（FIB）可為客戶(hù)解決的產(chǎn)品質(zhì)量問(wèn)題：

（1）在IC生產(chǎn)工藝中，發(fā)現微區電路蝕刻有錯誤，可利用FIB的切割，斷開(kāi)原來(lái)的電路，再使用定區域噴金，搭接到其他電路上，實(shí)現電路修改，最高精度可達5nm。
（2）產(chǎn)品表面存在微納米級缺陷，如異物、腐蝕、氧化等問(wèn)題，需觀(guān)察缺陷與基材的界面情況，利用FIB就可以準確定位切割，制備缺陷位置截面樣品，再利用SEM觀(guān)察界面情況。
（3）微米級尺寸的樣品，經(jīng)過(guò)表面處理形成薄膜，需要觀(guān)察薄膜的結構、與基材的結合程度，可利用FIB切割制樣，再使用SEM觀(guān)察。

聚焦離子束技術(shù)（FIB）注意事項：

（1）樣品大小5×5×1cm，當樣品過(guò)大需切割取樣。
（2）樣品需導電，不導電樣品必須能?chē)娊鹪黾訉щ娦浴?/span>

（3）切割深度必須小于50微米。

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