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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品，而努力

Work hard to make your product

器件封裝
  • 倒裝鍵合
    芯片尺寸：5*5mm-5*5cm 厚度<2mm，溫度<450℃ 精度：±3μm，壓力<100kg，2寸晶圓對晶圓鍵合
  • 晶圓鍵合
    陽(yáng)極鍵合、共晶鍵合（PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等等）、膠鍵合（BCB，SU8，鍵合專(zhuān)用膠)，對準精度±5μm
  • 點(diǎn)膠
    工作范圍：≤300*300mm，膠量控制：容積式和氣壓式，膠水黏度<50kCPS，單次膠量<0.16900ml，時(shí)間設置范圍<9.999sec
  • 貼片
    銀漿、焊料
  • 引線(xiàn)
    球形焊、楔形焊；Au線(xiàn)，Al線(xiàn)
  • 回流爐
    真空：2mbar，溫度<450℃±0.05℃
  • 平行封焊
    各類(lèi)金屬管殼，位置精度：±0.0381mm，壓力<5kg
  • TSV（硅通孔）工藝
    1、通孔的形成；2、絕緣層、阻擋層和種子層的淀積；3、電鍍填充，去除和再布線(xiàn)；4、晶圓減??；5、鍵合、劃片
  • TGV（玻璃通孔工藝）
    可完成打孔、沉積、填充再布線(xiàn)、減薄、鍵合劃片等。





    • 案例展示


                               

            底層管芯與頂層管芯堆疊連接            Cu-Cu Metal Diffusion Bond             TSV（Cu&Sn鍵合）Process            Ultra High Density TGV For MEMS







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    2024-11-27

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    本文將詳細介紹目前三種常見(jiàn)的CVD技術(shù)——低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）、等離子體增強化學(xué)氣相沉積（PECVD）以及高密度等離子體化學(xué)氣相沉...

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    2024-11-05

    在半導體芯片制造中，從原材料處理到最終封裝測試，整個(gè)流程涉及上千道工序，每一環(huán)節都需要精確控制，以確保芯片的性能與質(zhì)量。隨著(zhù)科技的飛速發(fā)展，...

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