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MEMS加工

為成就您的產(chǎn)品，而努力

Work hard to make your product

刻蝕
  • 堿性腐蝕
    KOH，TMAH
  • 酸性腐蝕
    HF，BOE，HCI，HNO3等
  • 光刻膠剝離
    Acetone，IPA
  • 電感耦合等離子刻蝕
    GaN，GaAs，InP
  • 深硅刻蝕DRIE
    刻蝕均勻性<±5%，選擇比＞50:1
  • 深氧化硅刻蝕
    石英，玻璃，硅，刻蝕形貌：90°±1°
  • 離子束刻蝕
    用于較難刻蝕的金屬或其他物質(zhì)
  • 反應離子刻蝕
    Si，SiO?，SiNx
  • 灰化
    光刻膠，聚合物


案例展示


                         

          RIE of InP waveguide 7um polyimide                BOSCH工藝                   Deep Si etch SOI Notch Free                  SOI Notch Free      





快速退火工藝（一）
快速退火工藝（一）

2023-11-17

快速熱退火是用各種熱輻照源，直接照射在樣品表面上，迅速將樣品加熱至700~1200℃左右在幾秒~幾十秒的時(shí)間內完成退火。它與常規熱退火相比，有下列優(yōu)點(diǎn)...

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離子鍍膜
離子鍍膜

2023-10-16

離子鍍是一種在真空環(huán)境中，利用高壓氣體放電將鍍料蒸發(fā)后離子化，沉積在產(chǎn)品表面形成一層鍍膜的工藝。  離子鍍工藝出現于上世紀70年代，是一種...

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常規ICP刻蝕的操作流程
常規ICP刻蝕的操作流程

2023-10-13

（一）裝片：1，在Pump 界面點(diǎn)擊左邊Pump 圖標下Stop，切換至Vent ，120s 后打開(kāi) Loadlock；2，涂抹真空油脂：根據片子尺寸大小，在托盤(pán)上涂抹...

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分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)
分子束外延的技術(shù)難點(diǎn)

2023-10-09

分子束外延是50年代用真空蒸發(fā)技術(shù)制備半導體薄膜材料發(fā)展而來(lái)的。隨著(zhù)超高真空技術(shù)的發(fā)展而日趨完善，由于分子束外延技術(shù)的發(fā)展開(kāi)拓了一系列嶄新的超...

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